MPG06JHE3_A/100
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06JHE3_A/100
| Artikelnummer: | MPG06JHE3_A/100 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06JHE3_A/100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MPG06JHE3_A/100.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse MPG06 Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Rückwärts-Erholzeit (Trr) 600 ns Verpackung / Gehäuse MPG06, Axial Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Box (TB) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer MPG06 MPG06JHE3_A/100 Einzelheiten PDF [English] MPG06JHE3_A/100 PDF - EN.pdf -
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